G3R45MT17D

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モデル
G3R45MT17D
メーカー
GeneSiC Semiconductor
分類
MOSFET
RoHS
データシート
説明
MOSFET 1700V 45mO TO-247-3 G3R SiC MOSFET

製品仕様

メーカー
GeneSiC Semiconductor
分類
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
52 A
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
TO-247-3
Packaging
Tube
Pd - Power Dissipation
364 W
Qg - Gate Charge
106 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
45 mOhms
Technology
SiC
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1.7 kV
Vgs - Gate-Source Voltage
- 5 V, + 15 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2.7 V

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