GS66502B-TR

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モデル
GS66502B-TR
メーカー
GaN Systems
分類
MOSFET
RoHS
データシート
説明
MOSFET 650V, 7.5A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled

製品仕様

メーカー
GaN Systems
分類
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
7.5 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Packaging
Reel
Qg - Gate Charge
1.6 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
260 mOhms
Technology
GaN
Tradename
GaNPX
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
650 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 10 V, + 7 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2.6 V

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