SI1012CR-T1-GE3

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モデル: SI1012CR-T1-GE3

メーカー: Vishay Semiconductors

分類: MOSFET

RoHS

データシート: SI1012CR-T1-GE3

説明: MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC75A

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製品仕様

メーカー: Vishay Semiconductors

分類: MOSFET

Channel Mode: Enhancement

Id - Continuous Drain Current: 600 mA

Maximum Operating Temperature: + 150 C

Minimum Operating Temperature: - 55 C

Mounting Style: SMD/SMT

Number of Channels: 1 Channel

Package / Case: SC-75-3

Packaging: Cut Tape, MouseReel, Reel

Pd - Power Dissipation: 240 mW

Qg - Gate Charge: 1.3 nC

Rds On - Drain-Source Resistance: 396 mOhms

Technology: SI

Tradename: TrenchFET

Transistor Polarity: N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V

Vgs - Gate-Source Voltage: - 8 V, + 8 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 400 mV

商品カテゴリ

Circuit Protection 162,445 製品 Connectors 2,428,639 製品 Electromechanical 556,105 製品 Embedded Solutions 41,129 製品 Enclosures 20,894 製品 Engineering Development Tools 42,996 製品 Industrial Automation 558,346 製品 LED Lighting 77,795 製品 Optoelectronics 109,177 製品 Passive Components 2,996,719 製品 Power 323,117 製品 Semiconductors 567,247 製品 Sensors 70,154 製品 Test & Measurement 23,394 製品

最新の評価

Thanks for your feedback!

Anna Grden

Order received all the rules. Ощень мана quickly, to Yakutia 5 day, respect, not tupit. Packed in standard. Driver in the form of niche, soldering standards, not tested. And diode, he ordered. Orders joined fellow

Brenda Gfeller

Thank You all fine, packed very well

Ulrich Bundke

Works. Find the price of this product is very good

Maxim Krasnov

Looks good

Michael Beck

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