R6007KNX

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モデル
R6007KNX
メーカー
ROHM Semiconductor
分類
MOSFET
RoHS
データシート
説明
MOSFET Nch 600V 7A Si MOSFET

製品仕様

メーカー
ROHM Semiconductor
分類
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
7 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
TO-220-3
Packaging
Bulk
Pd - Power Dissipation
46 W
Qg - Gate Charge
14.5 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
570 mOhms
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
3 V

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