- モデル
- RQ3E100ATTB
- メーカー
- ROHM Semiconductor
- 分類
- MOSFET
- RoHS
- データシート
- 説明
- MOSFET -30V P-CHANNEL -31A
製品仕様
- メーカー
- ROHM Semiconductor
- 分類
- MOSFET
- Channel Mode
- Enhancement
- Id - Continuous Drain Current
- 31 A
- Maximum Operating Temperature
- + 150 C
- Minimum Operating Temperature
- - 55 C
- Mounting Style
- SMD/SMT
- Number of Channels
- 1 Channel
- Package / Case
- HSMT-8
- Packaging
- Cut Tape, Reel
- Pd - Power Dissipation
- 17 W
- Qg - Gate Charge
- 42 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance
- 11.4 mOhms
- Technology
- SI
- Transistor Polarity
- P-Channel
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 30 V
- Vgs - Gate-Source Voltage
- - 20 V, + 20 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
- 1 V
商品カテゴリ
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Electromechanical
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Embedded Solutions
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Semiconductors
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Sensors
70,154 製品
Test & Measurement
23,394 製品
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สิทธิศักดิ์ วันดี
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