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GS-065-008-1-L

GS-065-008-1-L
画像は参考用です
モデル
GS-065-008-1-L
メーカー
GaN Systems
分類
MOSFET
RoHS
データシート
説明
MOSFET 650V, 8A, GaN E-HEMT, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled
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製品仕様

メーカー
GaN Systems
分類
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
8 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
PDFN-6
Packaging
Cut Tape, MouseReel, Reel
Pd - Power Dissipation
-
Qg - Gate Charge
1.5 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
225 mOhms
Technology
GaN-on-Si
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
650 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 10 V, + 7 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1.4 V

商品カテゴリ

Circuit Protection 162,445 製品 Connectors 2,428,639 製品 Electromechanical 556,105 製品 Embedded Solutions 41,129 製品 Enclosures 20,894 製品 Engineering Development Tools 42,996 製品 Industrial Automation 558,346 製品 LED Lighting 77,795 製品 Optoelectronics 109,177 製品 Passive Components 2,996,719 製品 Power 323,117 製品 Semiconductors 567,247 製品 Sensors 70,154 製品 Test & Measurement 23,394 製品

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