GS-065-030-2-L-MR

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モデル: GS-065-030-2-L-MR

メーカー: GaN Systems

分類: MOSFET

RoHS

データシート: GS-065-030-2-L-MR

説明: MOSFET 650V, 30A, GaN E-mode, 8x8 PDFN, Bottom-side cooled

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製品仕様

メーカー: GaN Systems

分類: MOSFET

Channel Mode: Enhancement

Id - Continuous Drain Current: 30 A

Maximum Operating Temperature: + 150 C

Minimum Operating Temperature: - 55 C

Mounting Style: SMD/SMT

Number of Channels: 1 Channel

Package / Case: PDFN-9

Packaging: Cut Tape, MouseReel, Reel

Pd - Power Dissipation: -

Qg - Gate Charge: 6.7 nC

Rds On - Drain-Source Resistance: 50 mOhms

Technology: GaN-on-Si

Transistor Polarity: N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V

Vgs - Gate-Source Voltage: - 10 V, + 7 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.7 V

商品カテゴリ

Circuit Protection 162,445 製品 Connectors 2,428,639 製品 Electromechanical 556,105 製品 Embedded Solutions 41,129 製品 Enclosures 20,894 製品 Engineering Development Tools 42,996 製品 Industrial Automation 558,346 製品 LED Lighting 77,795 製品 Optoelectronics 109,177 製品 Passive Components 2,996,719 製品 Power 323,117 製品 Semiconductors 567,247 製品 Sensors 70,154 製品 Test & Measurement 23,394 製品

最新の評価

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Arturo Madril

Works. Find the price of this product is very good

Maxim Krasnov

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Alex Yu

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