GES6016 TIN/LEAD

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モデル: GES6016 TIN/LEAD

メーカー: Central Semiconductor

分類: Bipolar Transistors - BJT

RoHS

データシート: GES6016 TIN/LEAD

説明: Bipolar Transistors - BJT 70Vcbo 70Vces 60Vceo 5.0Vebo 625mW

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製品仕様

メーカー: Central Semiconductor

分類: Bipolar Transistors - BJT

Collector- Base Voltage VCBO: 70 V

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 60 V

Collector-Emitter Saturation Voltage: 0.5 V

Configuration: Single

Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V

Gain Bandwidth Product fT: 425 MHz

Maximum DC Collector Current: 1.5 A

Maximum Operating Temperature: + 150 C

Minimum Operating Temperature: - 65 C

Mounting Style: Through Hole

Package / Case: TO-92-3

Packaging: Bulk

Pd - Power Dissipation: 1 W

Series: GES60

Transistor Polarity: NPN

商品カテゴリ

Circuit Protection 162,445 製品 Connectors 2,428,639 製品 Electromechanical 556,105 製品 Embedded Solutions 41,129 製品 Enclosures 20,894 製品 Engineering Development Tools 42,996 製品 Industrial Automation 558,346 製品 LED Lighting 77,795 製品 Optoelectronics 109,177 製品 Passive Components 2,996,719 製品 Power 323,117 製品 Semiconductors 567,247 製品 Sensors 70,154 製品 Test & Measurement 23,394 製品

最新の評価

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